輝達不忍了！NVIDIA 攜手三星自研 NAND，專注產能的記憶體廠將被淘汰？ 

很多人沒意識到，記憶體產業的角色正在發生根本性轉變。過去 GPU 巨頭 Nvidia 只是大型記憶體採購者，如今逐步走向更深的產業鏈位置：親自參與下一代存儲晶片的設計。韓媒報導，三星已與 Nvidia 建立合作關係，共同開發下一代 NAND Flash 記憶體。未來的記憶體不再是標準化商品，而是為 AI 架構量身打造的核心元件。

(輝達 Vera Rubin 有何改變？解析記憶體戰國時代：SK 海力士、三星、美光、SanDisk)

輝達用 AI 模型加速晶片研發速度一萬倍

消息人士指出，三星半導體研究所、Nvidia 與 Georgia Institute of Technology 的研究團隊已共同開發一套名為 Physics-Informed Neural Operator（PINO） 的 AI 模型。這套系統可用於分析新型 NAND 記憶體裝置的性能，速度比傳統模擬方法快超過 1 萬倍。

在半導體研發中，工程師通常依賴一種名為 TCAD（Technology Computer-Aided Design） 的模擬工具來測試晶片設計。然而，這種方法每次運算往往需要約 60 小時，嚴重限制研發效率。研究團隊透過將物理定律與神經網路結合，讓 AI 能夠理解材料與裝置的物理行為，使模擬時間縮短至不到 10 秒。這項成果已公開發表於國際研究社群。

三星的秘密武器：鐵電 NAND

這次合作的核心技術，是一種被稱為鐵電（Ferroelectric）材料的新型儲存技術。鐵電材料的特性是，即使沒有持續電力輸入，也能維持正負電荷的極化狀態，因此可用於儲存資訊，同時具備極低功耗。三星一直是該領域的主要研究者。2025 年底，三星在學術期刊 Nature 發表研究指出鐵電 NAND 的功耗可比傳統 NAND 降低約 96%。

這意味著未來 AI 系統在大規模資料存取時，將能顯著降低能耗。

只擴充產能，不精進技術的記憶體廠將被淘汰？

這項合作象徵著 AI 記憶體競賽已進入新的階段。過去，Nvidia 主要透過採購高頻寬記憶體（HBM）與 NAND 來支撐 AI GPU。如今決定下場研發專用記憶體，隨著 AI 模型規模爆炸式成長，儲存架構本身正在成為 AI 系統設計的一部分。或許未來的記憶體晶片，不再只是通用零件，而是為 AI 系統量身打造的「架構插件」。

根據韓國智慧財產局（KIPO）統計，目前全球鐵電相關專利韓國就佔 43.1%，其中三星單獨佔 27.8%。