一檔直接押注記憶體產業的 ETF 正式登場。由 Roundhill 推出的記憶體主題 ETF：DRAM（Roundhill Memory ETF）於 2026 年 4 月 2 日上市美股，被定位為市場上首檔「純記憶體 ETF」。超過 50% 收入來自 HBM、DRAM、NAND 的公司才能被納入。
該支 ETF 重押美光（24.63%）、三星（24.11%）、SK hynix（23.08%），並納入 SanDisk（4.90%）、Kioxia（4.86%）、Western Digital（4.77%）、Seagate（4.73%）、南亞科（3.89%）、華邦電（2.40%）。詳細成份股、費率請見全文。
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DRAM 主動式 ETF 費率 0.65%
DRAM 是主動式管理 ETF，費率為 0.65%，目前資產規模約 25 萬美元，持股數僅 9 檔，屬於高度集中配置的主題型 ETF。相較於傳統半導體 ETF（如涵蓋設計、設備、晶圓代工的廣泛配置），DRAM 強調「pure play」，也就是只投資記憶體相關企業，直接押注 AI 時代最關鍵的資料儲存與頻寬需求。
DRAM ETF 曝險美光、三星、海力士
從成分股結構來看，該 ETF 明顯重壓三大記憶體巨頭：Micron Technology（24.63%）、Samsung Electronics（24.11%）、SK hynix（23.08%），三者合計權重超過七成，幾乎完全鎖定 DRAM 與 HBM 市場核心供應端。
值得注意的是，這樣的配置也讓 DRAM 對韓國記憶體雙雄 SK 海力士、三星電子的曝險純度，高於另一隻話題韓股 ETF：EWY。
此外，該 ETF 亦納入台灣記憶體廠，包括南亞科（3.89%）與華邦電（2.40%）。其他成分股還包括 Kioxia、SanDisk、Western Digital 與 Seagate Technology，涵蓋 NAND 與儲存裝置供應鏈，但整體權重相對較低。
DRAM 形同槓上加槓押注記憶體股
另一個需要關注的結構特徵，是該 ETF 使用 total return swap（總報酬交換）來持有部分資產，以符合美國 RIC（Regulated Investment Company）分散規範，這也意味著其實際曝險可能與傳統現股持有略有差異，增加產品結構複雜度。
值得補充的是，這類採用衍生品來建立部位的 ETF，與一般「直接買股票」的 ETF 在本質上有所不同。傳統 ETF 多半是用投資人的資金直接持有成分股，資產配置與淨值相對直觀；而 DRAM 這類結構，則是以部分現金作為保證金，透過合約放大對特定產業的曝險，使整體投資部位可能超過 100%。
DRAM 屬於高度聚焦單一產業的主題 ETF。這類產品在 AI 上行周期中可能帶來顯著超額報酬，但同時也放大景氣循環風險。記憶體產業本身具有強烈的價格週期特性，一旦供需反轉，股價波動往往遠高於一般半導體或大盤指數。
風險提示
加密貨幣投資具有高度風險，其價格可能波動劇烈，您可能損失全部本金。請謹慎評估風險。
