日本半導體新創 Rapidus 於 2025 年 7 月 18 日宣布，已在北海道千歲市的最先端製造基地「IIM-1」成功試作 2 奈米（nm）Gate-All-Around（GAA）電晶體，並完成動作確認。這不僅是日本半導體產業的一大突破，也象徵著其挑戰全球晶圓先進製程領域邁出關鍵一步。記者會現場更首度展示實體試作晶片，吸引全球目光。
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試作成功！Rapidus 展示 2nm 晶片 驚艷業界
Rapidus 於 7 月 18 日在北海道千歲市舉行記者會，正式對外宣布 2nm GAA 電晶體成功試作並完成動作驗證。這款晶片是該公司在 IIM-1 製造設施中製造出的首批成果，象徵著日本在先進晶片製程領域的重要突破。
該公司社長兼 CEO 小池淳義表示：「這麼快就完成 2nm GAA 電晶體，會讓客戶感到震撼，也將激起高度期待。」
記者會現場也公開了晶片實體，象徵 Rapidus 從無到有完成開發，並具備一定製造成熟度。
三年從零到有 2nm 試作是「魂之晶片」
小池淳義以投影片形式介紹 Rapidus 的發展歷程。該公司於 2022 年 8 月成立，初期員工僅 14 人，同年 12 月便與 IBM 簽署戰略合作協議，導入其 GAA 技術進行共同開發。
千歲市的 IIM-1 廠房於 2023 年 2 月宣布動工，9 月舉行起工式。小池回憶：「從零開始，靠著施工團隊與 Rapidus 員工的齊心協力，一點一滴打造出來。」
2024 年 12 月完成無塵室並引進製造設備，其中也包含日本首次導入的極紫外光（EUV）曝光機。到了 2025 年 4 月成功完成 EUV 曝光與顯影，6 月 16 日將晶圓投入試產線，並於 7 月 10 日確認 2nm GAA 電晶體能正常運作。
小池稱首批晶圓為「魂之晶片」，強調員工幾乎不眠不休完成試作。他表示：「這是日本首度成功確認 2nm GAA 電晶體運作，意義重大。」雖未透露良率，但指出將朝 2027 年量產持續提升性能與製程穩定性。
客戶反應熱烈 邁入設計實作新階段
除了記者會當天，Rapidus 也舉辦了客戶參訪活動，來自全球的潛在客戶齊聚千歲，對試作晶片表現出高度興趣。
小池透露：「客戶終於看到實體晶片，這將加速他們的設計與產品開發進程。我們跨過了一個重要的里程碑。」
這次展示，不只是技術突破，也大幅提升 Rapidus 爭取海外訂單與合作的可能性。
千歲轉型科技重鎮 41 家企業已搶先進駐
記者會也邀請多位政府與地方領導人出席，包括 Rapidus 會長東哲郎、北海道知事鈴木直道、千歲市長橫田隆一，共同見證歷史性時刻。
東哲郎指出：「全球對 Rapidus 的關注，不只是因為日本要從十幾年的落後中追趕，而是驚訝於我們能以極快速度完成這些關鍵步驟。這是熱情、技術與團隊凝聚力的成果。」
知事鈴木也盛讚：「一開始道民對先進半導體還不太熟悉，但如今大家都看見這項挑戰的重要性與潛力。這是北海道半導體產業的歷史新篇。」
千歲市長橫田補充，因 Rapidus 的進駐，已帶動 41 家半導體相關企業進駐千歲市，另有 80 多家正在評估加入。當地目前已有 10 棟飯店在規劃興建中，寫字樓與住宅建案也接連出現，成為地方經濟活化的推手。
Rapidus 接下來的目標是於 2027 年實現前段製程量產，並在 2027 年底至 2028 年上半年推動後段製程量產。小池表示：「我們將逐步建立起完整的一貫製程體系，為客戶提供更穩定與先進的供應能力。」
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